逆导型GCT阻断特性的分析与设计

作     者：王彩琳 高勇 张昌利 

作者机构：西安理工大学电子工程系西安710048 韩国电气研究院电力半导体研究室 

基　　金：陕西省教育厅专项科研计划资助项目(批准号:04JK245)~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2005年第26卷第9期

页      码：1833-1837页

摘      要：在分析pnp隔离的逆导型GCT(RCGCT)特性的基础上,提出了沟槽隔离的RCGCT新结构,并给出了其阻断特性的设计方法.依此建立了RCGCT的结构模型,利用MEDICI软件对其阻断特性进行了模拟,并与非对称GCT和pnp隔离的RCGCT的阻断特性进行了比较和分析.另外,通过对不同沟槽结构参数下RCGCT的阻断特性和门极击穿特性的模拟,给出了沟槽区的优化参数.实验结果证明了设计的合理性.

主 题 词：电力电子器件 门极换流晶闸管 门极可关断晶闸管 pin二极管 击穿电压 沟槽隔离 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.030

馆 藏 号：203104763...