基于SiC MOSFET/Si IGBT的670V/100kW城轨辅助逆变器的综合比较

作     者：姚文革 王方 刘阳 李伟杰 马颖涛 刘博 YAO Wenge;WANG Fang;LIU Yang;LI Weijie;MA Yingtao;LIU Bo

作者机构：北京纵横机电科技有限公司北京100094 中国铁道科学研究院集团有限公司机车车辆研究所北京100081 北京建筑大学机电与车辆工程学院北京100044 北京建筑大学城市轨道交通车辆服役性能保障北京市重点实验室北京100044 北京交通大学电气工程学院北京100044 

基　　金：中国国家铁路集团有限公司科技研究开发计划课题(N2019J015) 

出 版 物：《铁道机车车辆》 (Railway Locomotive & Car)

年 卷 期：2021年第41卷第4期

页      码：143-148页

摘      要：三相全桥逆变器广泛应用于各个领域,特别是轨道交通的牵引变流器系统和辅助变流器系统。利用新一代功率半导体器件如碳化硅(SiC)提升功率密度,使三相逆变器向小型化、轻量化的方向发展。采用SiC MOSFET以减小主回路电感的设计为优化目标,研制了用于城轨辅助变流的新型逆变器样机,与原有的Si IGBT逆变器进行了结构与电气性能的对比。理论分析和试验测试的结果表明,该逆变器样机的最大输出功率可达132 kW,此时逆变器样机的功率密度相应为1.49 kW/dm^(3)或3.64 kW/kg。

主 题 词：SiC MOSFET Si IGBT 逆变器 回路电感 功率密度 

学科分类：082304[082304] 08[工学] 080204[080204] 0802[工学-机械学] 0823[工学-农业工程类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1008-7842.2021.04.26

馆 藏 号：203104816...