低噪声X波段再生式分频组件研究

作     者：杨非 齐宁华 徐欧 孙忠良 YANG Fei;QI Ninghua;XU Ou;SUN Zhongliang

作者机构：东南大学毫米波国家重点实验室南京210096 

基　　金：国家自然科学基金委创新基金资助(60621002) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2009年第29卷第3期

页      码：369-372页

摘      要：采用低噪声再生式分频技术,设计了低噪声X波段再生式分频组件。首先研究讨论了再生式分频的噪声理论,分析了有源器件对于近载波噪声和远载波噪声性能的影响。接着设计制作了两级锗硅HBT放大器、混频器、微带结构带通、带阻滤波器和功率分配器,其中低1/f锗硅HBT放大器首次应用于低噪声再生式分频器的设计。最后对分频组件进行了测试,测试结果良好,在近载波相位噪声性能改善6dB;在远载波白噪声段,噪声小于-165dBc/Hz。测试结果与理论计算结果吻合良好,达到了低噪声的设计要求。

主 题 词：低噪声 X波段 再生式分频 锗硅放大器 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2009.03.013

馆 藏 号：203104819...