一种2.2~4 GHz高增益低噪声放大器

作     者：雷华奎 李志强 王显泰 段连成 LEI Huakui;LI Zhiqiang;WANG Xiantai;DUAN Liancheng

作者机构：中国科学院大学北京100049 中国科学院微电子研究所北京100029 新一代通信射频芯片技术北京重点实验室北京100029 昂瑞微电子技术有限公司北京100084 

基　　金：国家科技重大专项(2018ZX09201011) 中科院院地合作项目(18YFYSZC00200) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2021年第51卷第4期

页      码：471-476页

摘      要：采用0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,设计并实现了一种应用于5G通信2.2~4 GHz频段的高增益共源共栅低噪声放大器(LNA)。通过将并联RC负反馈与共栅接地电容结合,不使用源极电感,实现了宽带高增益的LNA设计。测试结果表明,2.2~4 GHz频段增益大于24 dB,输出3阶互调(OIP3)为28 dBm,噪声系数(NF)小于0.78 dB,功耗为190 mW,芯片面积为(810×710)μm^(2)。综合指标(FOM)为14.4 dB,与同类LNA相比具有一定的优势。

主 题 词：共源共栅 低噪声放大器 输出3阶互调 综合指标 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.200455

馆 藏 号：203104853...