28 nm超薄体FD-SOI高温特性研究

作     者：张颢译 曾传滨 李晓静 高林春 罗家俊 韩郑生 ZHANG Haoyi;ZENG Chuanbin;LI Xiaojing;GAO Linchun;LUO Jiajun;HAN Zhengsheng

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院硅器件技术重点实验室北京100029 中国科学院大学北京100049 

基　　金：国家自然基金青年基金项目(61804168) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2021年第51卷第4期

页      码：577-581页

摘      要：研究了低阈值电压(LVT)结构的28 nm超薄体全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)MOSFET的高温下特性。在300℃下对器件进行测试,将FD-SOI与部分耗尽(PD)SOI进行参数对比。结合理论分析,证明了高温下超薄体FD-SOI具有比PD-SOI更低的阈值电压漂移率和亚阈值摆幅。在300℃高温下工作时,SOI MOSFET的参数发生退化,阈值电压减小,泄漏电流增加,栅极对沟道电流的控制能力大大减小。超薄体FD-SOI的设计可使器件的高温性能更加稳定,将电路的工作温度提高到300℃。

主 题 词：高温器件 阈值电压 亚阈值摆幅 超薄体FD-SOI 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.200502

馆 藏 号：203104859...