P型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器

作     者：姚中辉 陈红梅 王拓 蒋成 张子旸 Yao Zhonghui;Chen Hongmei;Wang Tuo;Jiang Cheng;Zhang Ziyang

作者机构：中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院安徽合肥230026 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州215123 青岛翼晨镭硕科技有限公司山东青岛266000 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院江西南昌330200 长春理工大学理学院高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022 

基　　金：江西省应用研究培育计划资助项目(20181BBE58020) 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2021年第48卷第16期

页      码：1-7页

摘      要：1.3μm InAs/GaAs量子点(QD)激光器基于自身优异的光电特性,有望成为下一代光通信系统所急需的高性能、低成本光源。理论分析了提高量子点材料增益的几种方法,然后利用分子束外延(MBE)分别生长非掺杂、p型调制掺杂的8层高质量的量子点激光器外延结构,并分别制备了量子点激光器。另外,为了抑制量子点激发态与基态的激射竞争,设计并优化了激光器腔面的镀膜工艺。最终实现了300μm超短腔长基态激射的p型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs的量子点激光器,展示出了其在高速光通信系统应用中的巨大潜力。

主 题 词：激光器 量子点 p型调制掺杂 分子束外延 腔面镀膜 

学科分类：0402[教育学-体育学类] 0303[法学-社会学类] 080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/CJL202148.1601001

馆 藏 号：203104879...