2GHz 100W硅脉冲功率晶体管

作     者：傅义珠 张树丹 高雷 姚长军 

作者机构：南京电子器件研究所 

出 版 物：《世界产品与技术》 (Electronic Component News)

年 卷 期：2002年第2期

页      码：20-21页

摘      要：本文叙述了硅脉冲功率晶体管的设计制造,采用了动态镇流、钳位二极管、内匹配等技术。器件在f_0=1.85～2.15GHz,D=2％,τ_p=40μs条件下,输出功率P_0≥100W,功率增益G_p≥7dB,集电极效率η_0≥40％,并具有较高的抗激励耐量。在f_0=2.15GHz, τ_p=40μs,D=2％,P_i=25W,V_cc=36V时,P_0≥120W;当V_cc=40V时P_0≥153W。

主 题 词：2GHz100W 硅脉冲功率晶体管 可靠性设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203104941...