氧化铝中氧空位形成能的掺杂调制

作     者：段伟杰 王冬迎 杨毅 DUAN Wei-jie;WANG Dong-ying;YANG Yi

作者机构：湖南工程学院计算科学与电子学院湘潭411104 

基　　金：湖南省教育厅一般项目(19C0466) 湖南工程学院国家基金预研项目(YY2011) 湖南工程学院博士启动基金项目(20033) 

出 版 物：《湖南工程学院学报（自然科学版）》 (Journal of Hunan Institute of Engineering(Natural Science Edition))

年 卷 期：2021年第31卷第3期

页      码：63-66页

摘      要：采用第一性原理计算结合原子替位掺杂的方法,研究原子掺杂效应对氧空位形成能的影响.通过计算发现,在氧化铝中进行金属原子替位掺杂可以显著降低氧空位的形成能,有利于形成局部的电阻退化,使氧化铝成为潜在的阻变功能材料.对氧化铝基阻变存储器件的设计、制备及其在新型存储器件领域的应用具有参考价值.

主 题 词：阻变存储器 氧化铝 掺杂 氧空位 形成能 

学科分类：07[理学] 070205[070205] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-119X.2021.03.012

馆 藏 号：203104973...