基于IGBT行为模型的有源中点钳位五电平变换器损耗特性分析

作     者：叶伟伟 聂子玲 朱俊杰 许杰 Ye Weiwei;Nie Ziling;Zhu Junjie;Xu Jie

作者机构：海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室武汉430033 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51807199 52077219) 

出 版 物：《电工技术学报》 (Transactions of China Electrotechnical Society)

年 卷 期：2021年第36卷第S1期

页      码：218-230页

摘      要：有源中点钳位五电平拓扑(5L-ANPC)通常用于中压大容量电能变换领域,同时由于其拓扑结构复杂和各器件有效开关频率不同,使得损耗分析较为困难,并且对计算精度要求较高。该文分析基于载波移相脉宽调制(PS-PWM)的损耗计算方法,根据电压电流关系,详细分析所有器件的导通规律,推导导通损耗计算方法。针对传统的开关损耗计算方法在中压大容量条件下误差较大的问题,详细分析IGBT的开关瞬态过程,提出一种基于行为模型的开关暂态损耗计算方法,并将其运用于5L-ANPC拓扑开关损耗分析。对5L-ANPC拓扑损耗特性进行分析,为散热系统设计奠定了坚实的基础。实验结果表明,该文所提方法提高了损耗计算精度,最大误差为10.4%,最小误差为8.4%,验证了所提损耗计算方法的有效性。

主 题 词：有源中点钳位五电平拓扑(5L-ANPC) 载波移相脉宽调制 IGBT行为模型 功率损耗 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 0701[理学-数学类] 

核心收录：

D　O　I：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L90104

馆 藏 号：203105005...