东芝SiC MOSFET降低功率损耗,迈向碳中和

出 版 物：《变频器世界》 (The World of Inverters)

年 卷 期：2021年第8期

页      码：32-37页

摘      要：电力电子产业未来的发展趋势之一便是使用更高的开关频率以获得更紧密的系统设计,而杳高开关频率高功率的应用中,SiC器件优势观显,这就便得SiCMOSFET在5G基站、工业电源、光伏、充电桩、不间断电源系统以及能源储存等应用场景中的需求不断提升。SiC MOSFET的特性更好的耐高温与耐高压特性基于SiC材料的器件拥有比传统Si材料制品更好的耐高温耐高压特性。

主 题 词：不间断电源系统 高开关频率 工业电源 MOSFET 应用场景 耐高压 充电桩 碳中和 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203105012...