数字电路中NBTI效应仿真及建模方法的研究

作     者：朱诗倩 石艳玲 ZHU Shiqian;SHI Yanling

作者机构：华东师范大学电子工程系上海200241 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2015年第45卷第2期

页      码：209-212页

摘      要：负偏压温度不稳定性(NBTI)效应已成为影响数字电路设计的重要可靠性问题之一。首先讨论了PMOS晶体管中NBTI效应对数字电路的影响,提出针对不同工艺PMOS管中NBTI效应建模的流程,设计了一种基于SPICE模型的NBTI仿真模型。该模型能够通过Cadence软件调用,并在实际的数字电路设计中进行动态仿真,预测NBTI效应对电路性能的影响。基于该建模流程,在Cadence软件中对基于40nm工艺的一级两输入与非门和四十级反相器组成的环形振荡器进行仿真。仿真结果表明,该模型能够对不同工艺下PMOS管中的NBTI效应进行准确、有效地仿真,为数字电路的可靠性设计提供保障。

主 题 词：负偏压温度不稳定性 数字电路 建模 仿真验证 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.2015.02.015

馆 藏 号：203105015...