沉积温度和时间对多孔SiC薄膜的光致发光性能的影响

作     者：刘灿辉 陶伟杰 陶莹雪 贺振华 LIU Canhui;TAO Weijie;TAO Yingxue;HE Zhenhua

作者机构：武汉理工大学信息工程学院武汉430070 

基　　金：国家自然科学基金(11747133) 中央高校基本科研业务费专项资金(195209019) 

出 版 物：《硅酸盐通报》 (Bulletin of the Chinese Ceramic Society)

年 卷 期：2021年第40卷第9期

页      码：3090-3097页

摘      要：为了增强碳化硅(SiC)的光致发光性能,设计了三层结构的多孔SiC薄膜,衬底是单晶硅,中间层是双通阳极氧化铝(AAO)模板,顶层是SiC薄膜。采用磁控溅射工艺在AAO模板上沉积SiC薄膜,沉积温度为100~500℃,溅射时间为1~30 min。研究了沉积温度和沉积时间对SiC的光致发光性能的影响。结果表明:SiC薄膜为非晶态,SiC主要沉积在AAO模板的上层骨架结构上;与未经过溅射的样品相比,当衬底温度为200℃,溅射时间为1 min时,SiC的荧光性能增强至14.23倍;多孔SiC薄膜的荧光主要来自2.3 eV的主峰和2.8 eV的次主峰,主峰可能来自Al_(2)O_(3)的O缺陷发光与SiC本征发光,次主峰可能来自SiO_(2)的O缺陷发光。磁控溅射结合双通AAO模板法可应用于多孔荧光SiC薄膜的工业化快速制备。

主 题 词：多孔荧光碳化硅 阳极氧化铝 磁控溅射 沉积温度 沉积时间 光致发光性能 

学科分类：08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 

D　O　I：10.16552/j.cnki.issn1001-1625.20210630.006

馆 藏 号：203105022...