基于双模互锁的抗三节点翻转锁存器设计

作     者：徐辉 孙聪 周乐 梁华国 黄正峰 李丹青 Xu Hui;Sun Cong;Zhou Le;Liang Huaguo;Huang Zhengfeng;Li Danqing

作者机构：安徽理工大学计算机科学与工程学院安徽淮南232001 合肥工业大学微电子学院合肥230009 

基　　金：国家自然科学基金面上项目(61674048,61874156) 国家自然科学基金青年基金资助项目(61404001) 国家自然科学基金重点合作项目(61834006) 国家重大科研仪器研制项目(62027815) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2021年第46卷第10期

页      码：759-764,794页

摘      要：随着半导体工艺的发展,集成电路对单粒子效应所引起的软错误更加敏感。为了减弱或消除软错误对集成电路的影响,提出了一种基于32 nm CMOS工艺的抗三节点翻转(TNU)锁存器。该锁存器通过两个互锁的单节点翻转自恢复单元与C单元相连来抗TNU。此外,由于使用时钟门控技术、快速传输路径以及较少的晶体管,使该锁存器的功耗和延迟较低。HSPICE仿真结果表明该锁存器能够抗TNU,与其他先进的辐射加固锁存器相比,该锁存器在减少晶体管数量约34%的情况下,其功耗和延迟分别降低了约58%和21%,而功耗延迟积降低了约68%,并且对工艺、电压和温度(PVT)的波动具有低灵敏度。

主 题 词：软错误 三节点翻转(TNU) 锁存器 时钟门控 快速传输路径 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.10.003

馆 藏 号：203105024...