后摩尔时代芯片结构材料的热设计与表征

作     者：雍国清 张碧 王永康 胡长明 陈云飞 YONG Guoqing;ZHANG Bi;WANG Yongkang;HU Changming;CHEN Yunfei

作者机构：东南大学江苏南京211189 南京电子技术研究所江苏南京210039 

出 版 物：《电子机械工程》 (Electro-Mechanical Engineering)

年 卷 期：2021年第37卷第5期

页      码：1-13页

摘      要：在半导体工业,摩尔定律预测每过2年芯片上晶体管的数量就增加一倍,芯片运行的速度也会增加一倍。目前,超高的热流密度已成为摩尔定律面临的一个瓶颈。微纳结构利用尺寸效应、界面效应和新的材料构成体系,有可能为半导体工业提供颠覆性的技术解决方案。系统研究尺寸效应、应变场和温度场对声子和电子输运规律的影响以及结构相变或尺寸效应对Wiedemann-Franz定律的影响,可以精确理解声子、电子在微纳结构上的输运规律,从而为半导体工业寻找新材料提供精准的技术路线图。

主 题 词：摩尔 片上系统 微纳结构 微区拉曼 导热系数 界面热阻 

学科分类：080701[080701] 08[工学] 0807[工学-电子信息类] 

D　O　I：10.19659/j.issn.1008-5300.2021.05.001

馆 藏 号：203105033...