1700V IGBT场限环场板终端优化设计

作     者：周荣斌 杨平 唐茂森 叶峻涵 沈俊 刘东 朱利恒 ZHOU Rongbin;YANG Ping;TANG Maosen;YE Junhan;SHEN Jun;LIU Dong;ZHU Liheng

作者机构：西南交通大学电气工程学院四川成都611756 

出 版 物：《机车电传动》 (Electric Drive for Locomotives)

年 卷 期：2021年第5期

页      码：58-63页

摘      要：击穿电压是IGBT的一个重要参数,而器件的击穿电压主要与终端结构有关,所以对终端结构的研究一直备受关注。文章设计了一种1 700 V的IGBT终端结构,采用场限环和场板相结合的终端技术,降低了器件表面电场峰值,提高了其击穿电压。通过仿真分析多组不同场板长度和氧化层厚度的终端结构,采用多项式拟合和多元回归分析击穿电压、表面电场分布与每个环上的场板长度和氧化层厚度的关系;在此基础上提前预测器件的击穿电压和表面电场分布,缩短终端设计时间;经过调整后,在366μm的终端上仿真实现了1 927 V的击穿电压,终端效率达到了91.5%。该终端优化设计方法能够优化器件的表面电场分布,有效降低表面电场峰值,并提高终端效率。

主 题 词：IGBT 场限环 场板 击穿电压 多元回归 多项式拟合 仿真 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13890/j.issn.1000-128x.2021.05.009

馆 藏 号：203105238...