电刺激对背根神经节和雪旺细胞髓鞘化的影响

作     者：雷涛 刘玉红 张煜 梁卓文 LEI Tao;LIU Yuhong;ZHANG Yu;LIANG Zhuowen

作者机构：空军军医大学生物医学工程系陕西西安710032 空军军医大学口腔医院口腔科陕西西安710032 联勤保障部队解放军第901医院安徽合肥230031 空军军医大学西京医院陕西西安710032 

基　　金：国家自然科学基金(51907197) 

出 版 物：《中国医学物理学杂志》 (Chinese Journal of Medical Physics)

年 卷 期：2021年第38卷第10期

页      码：1285-1288页

摘      要：目的:建立体外的背根神经节(DRG)—雪旺细胞(SCs)—电刺激模型,为研究电刺激促周围神经成髓鞘机制提供基础。方法:以函数发生器和电刺激小室构建电刺激细胞培养系统,DRG/SCs共培养24 h后分为对照(Ctrl)组和电刺激(ES)组。ES组给予矩形波电刺激,6 Vp-p,10 Hz,1 h/d,7 d。Ctrl组无电刺激。利用CCK8观测电刺激对细胞毒性的影响,利用髓磷脂碱性蛋白(MBP)免疫荧光检测电刺激对DRG/SCs髓鞘化的影响。结果:CCK8细胞增殖毒性实验显示,ES组光密度值略高于Ctrl组,但两组之间无统计学意义。免疫荧光检测结果显示ES组MBP的荧光强度明显高于Ctrl组(P<0.01)。结论:本文设计的电刺激细胞培养系统对神经细胞安全无毒,连续7 d的电刺激可提高神经髓鞘化率。

主 题 词：电刺激 导电玻璃 背根神经节 雪旺细胞 髓鞘化 

学科分类：0831[工学-公安技术类] 08[工学] 0836[0836] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-202X.2021.10.018

馆 藏 号：203105273...