面向SoC的SRAM读出电路加固设计

作     者：沈婧 薛海卫 陈玉蓉 张猛华 王蕾 Shen Jing;Xue Haiwei;Chen Yurong;Zhang Menghua;Wang Lei

作者机构：中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035 

出 版 物：《电子技术应用》 (Application of Electronic Technique)

年 卷 期：2021年第47卷第10期

页      码：38-41,47页

摘      要：SRAM存储器在SoC芯片中的应用已经越来越普遍,存储单元的加固设计已成为抗辐射SoC芯片设计首要考虑的问题之一。提出了两种SRAM读出电路的加固结构,分别从读出电路结构、数据读出速度和抗单粒子翻转能力等方面进行了对比。两种读出结构的SRAM均有较好的抗单粒子能力,但相比较单模双互锁结构的SRAM,双模双互锁读出结构的SRAM读出时间更短。

主 题 词：SoC 单粒子翻转 SRAM读出电路 数据读出速度 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16157/j.issn.0258-7998.211423

馆 藏 号：203105306...