共面波导形式的倒扣焊X波段低噪声放大器

作     者：陈辰 林金庭 李拂晓 

作者机构：南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2004年第24卷第3期

页      码：291-295页

摘      要：研究了倒扣焊封装的共面波导 ( CPW) X波段低噪声单片放大器的设计方法、制作工艺及测量结果 ,验证了倒扣焊技术在微波频段应用的可行性。低噪声放大器单片是在 Ga As MMIC工艺线上用全离子注入、0 .8μm栅工艺研制完成。单片电路使用共面波导作为传输线 ,它可以将电磁场束缚在较小的空间内 ,受倒扣衬底的影响较微带线小。与传统的引线键合技术相比 ,单片倒扣焊于陶瓷载体上 ,性能有明显改善 ,在 9.2～ 10 .3GHz,G≈ 12 .1d B。

主 题 词：微波单片集成电路 倒扣焊技术 共面波导 低噪声放大器 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2004.03.005

馆 藏 号：203105437...