英飞凌将90纳米DRAM沟槽技术转让于中芯国际

作     者：丛秋波 

出 版 物：《电子设计技术 EDN CHINA》 (EDN CHINA)

年 卷 期：2006年第13卷第2期

页      码：113-113页

摘      要：英飞凌科技公司（Infineon）和中芯国际（SMIC）近日签署合作协议，将进一步扩展在DRAM产品生产领域中的现有合作，开始90纳米标准的产品合作生产。

主 题 词：DRAM 技术转让 90纳米 国际 英飞凌科技公司 沟槽 合作协议 产品生产 合作生产 

学科分类：0202[经济学-财政学类] 02[经济学] 020205[020205] 08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

馆 藏 号：203105492...