电磁脉冲对CMOS与非门的干扰和损伤效应与机理

作     者：孙毅 柴常春 刘彧千 李福星 杨银堂 Sun Yi;Chai Changchun;Liu Yuqian;Li Fuxing;Yang Yintang

作者机构：西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 

基　　金：supported by National Natural Science Foundation of China(61974116) 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2021年第33卷第10期

页      码：71-78页

摘      要：利用Sentaurus-TCAD建立了CMOS与非门电路的二维电热模型,仿真研究了在电磁脉冲注入下,CMOS与非门电路产生的扰乱和损伤效应及其机理。结果表明,在EMP注入下,电路输出电压、内部的峰值温度呈周期性的"下降-上升",当注入功率较大时,EMP撤销后输出电压停留在异常值,PMOS源极电流增加,温度不断上升,最终烧毁在PMOS源极,这是因为器件内部产生了闩锁效应。随着脉宽的增加,损伤功率阈值减小而损伤能量阈值增大,通过数据拟合得到脉宽与损伤功率阈值和损伤能量阈值的关系。该结果可对EMP损伤效应进行评估并对器件级EMP抗毁伤加固设计具有指导作用。

主 题 词：CMOS与非门 电磁脉冲 干扰效应 损伤效应 脉宽效应 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.11884/HPLPB202133.210316

馆 藏 号：203105757...