一种新型低冗余抗多节点翻转的加固D锁存器设计

作     者：李强 张楠 郭靖 LI Qiang;ZHANG Nan;GUO Jing

作者机构：中北大学仪器与电子学院山西太原030051 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61604133) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2021年第44卷第5期

页      码：1030-1035页

摘      要：在航空航天等高辐射领域中,电荷共享效应引起的多节点翻转(Multiple-Node Upset,MNU)在D锁存器中愈发频繁,其可严重影响电子系统的功能。虽然目前现有的抗MNU加固D锁存器能够对MNU进行容错恢复,但是其硬件开销非常大。为解决这一问题,本文利用辐射脉冲翻转极性(PMOS管收集正电荷,产生正的脉冲电压;NMOS管收集负电荷,产生负的脉冲电压)设计了一种新型低冗余抗MNU的加固D锁存器。在TSMC 65 nm CMOS工艺下对该锁存器时序及容错功能进行的仿真验证结果表明,该锁存器的临界电荷(Critical Charge,Q_(crit))为2.38 fC;与现有抗MNU锁存器相比,不仅可恢复MNU,而且具有面积更小、功耗更低、传输时间更短的优点。

主 题 词：低冗余 电荷共享效应 多节点翻转 D锁存器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2021.05.002

馆 藏 号：203105782...