硅片键合套刻偏差测量技术

作     者：李运锋 蓝科 LI Yunfeng;LAN Ke

作者机构：上海微电子装备(集团)股份有限公司上海201203 

出 版 物：《光学仪器》 (Optical Instruments)

年 卷 期：2021年第43卷第5期

页      码：7-15页

摘      要：硅片键合套刻偏差是影响三维垂向互连封装工艺的重要指标之一。利用红外光可以高效穿透硅基半导体材料的特性,设计了测量键合套刻偏差的红外检测系统。通过测试光源和相机得到的噪声大小和分布作为仿真误差来源;通过MATLAB对不同尺寸、不同类型的套刻标记成像仿真,得到的测量重复性随采样点增多而减小,并在150个采样点时套刻测量重复性趋于稳定的规律;通过仿真检测系统不同数值孔径和套刻标记线宽,得到了测量重复性随对比度增加而减小的特征。根据仿真结果设计了红外检测系统和套刻标记,测试结果接近仿真数据,得到了10 nm以下的测量重复性,证明了利用红外技术高精度检测硅片键合套刻偏差的可行性。

主 题 词：硅片键合套刻偏差 红外技术 套刻标记 套刻偏差 测量重复性 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-5630.2021.05.002

馆 藏 号：203105815...