掺镁铌酸锂电光调制位相阵列光栅

作     者：佟曼 范天伟 陈云琳 柯笑晗 TONG Man;FAN Tianwei;CHEN Yunlin;KE Xiaohan

作者机构：北京交通大学理学院微纳材料及应用研究所北京100044 

基　　金：高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20130009110008) 国家自然科学基金资助项目(61178052) 

出 版 物：《中国科技论文》 (China Sciencepaper)

年 卷 期：2015年第10卷第22期

页      码：2678-2680,2696页

摘      要：设计并制备了基于周期极化掺镁铌酸锂(PPMgLN)晶体的二维六角可调位相阵列光栅,在较低外加调制电压下,获得了清晰的阵列光栅泰伯(Talbot)光衍射自成像。试验研究了不同相位差时阵列光栅的近场光衍射图样及取样光点处的相对光强分布,在占空比D为52%、相位差Δφ为0.75π、泰伯分数β为0.5时,近场光衍射相对光强最大。同时在较低外加调制电压(0.461kV)下,即可获得清晰泰伯衍射图样。该研究可为掺镁铌酸锂阵列光栅在集成光学领域的应用提供参考。

主 题 词：阵列光栅 周期极化掺镁铌酸锂 泰伯效应 铟锡氧化物(ITO)薄膜 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.2095-2783.2015.22.022

馆 藏 号：203105910...