杂质纵向高斯分布UTBB-SOI MOSFET的虚拟阴极阈值电压解析模型

作     者：韦素芬 陈红霞 李诗勤 黄长斌 刘璟 WEI Sufen;CHEN Hongxia;LI Shiqin;HUANG Changbin;LIU Jing

作者机构：集美大学海洋信息工程学院福建厦门361021 瑞芯微电子股份有限公司福建福州350003 

基　　金：福建省自然科学基金引导性项目(2019H0022) 

出 版 物：《集美大学学报（自然科学版）》 (Journal of Jimei University：Natural Science)

年 卷 期：2021年第26卷第5期

页      码：472-480页

摘      要：采用Sentaurus Process工艺仿真工具,验证了超薄硅膜内单次纵向离子注入并快速热退火后所实现的轻掺杂杂质分布符合高斯规律。设计杂质纵向高斯分布的轻掺杂纳米UTBB-SOI MOSFET,用虚拟阴极处反型载流子浓度来定义阈值电压的方法,为器件建立二维阈值电压解析模型。通过与Sentaurus Device器件仿真结果对比分析,发现:阈值电压模型能准确预测器件在不同掺杂、器件厚度和偏置电压下的阈值电压,正确反映器件的背栅效应,其模拟结果与理论模型相符。

主 题 词：UTBB-SOI MOSFET 高斯分布 虚拟阴极 阈值电压 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.19715/j.jmuzr.2021.05.13

馆 藏 号：203106271...