看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >0.5μm CMOS标准单元库建库流程技术研究 收藏
0.5μm CMOS标准单元库建库流程技术研究

0.5μm CMOS标准单元库建库流程技术研究

作     者:罗静 陶建中 Luo Jing;Tao Jian-zhong

作者机构:中国电子科技集团公司第58所江苏无锡214035 

出 版 物:《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期:2006年第6卷第1期

页      码:23-27,19页

摘      要:标准单元库是LSI/VLSI自动化设计的基础。基于0.5μm CMOS单多晶三铝工艺线,开发了全套0.5μm CMOS标准单元库。文章重点介绍了CMOS标准单元库的建库流程技术。此技术可以有效地应用于其他CMOS或SOI工艺标准单元库的开发。

主 题 词:标准单元库 建库流程 特征化 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.3969/j.issn.1681-1070.2006.01.007

馆 藏 号:203106326...

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分