SiC MOSFET在Boost电路中的应用

作     者：韩芬 张艳肖 石浩 HAN Fen;ZHANG Yanxiao;SHI Hao

作者机构：西安交通大学城市学院电气与信息工程系陕西西安710018 

基　　金：陕西省教育科学“十三五”规划2020年度课题(SGH20Y1380) 

出 版 物：《工业仪表与自动化装置》 (Industrial Instrumentation & Automation)

年 卷 期：2021年第6期

页      码：65-69页

摘      要：第三代半导体材料SiC功率器件由于高温、高频、高阻断电压等优良特性,有利于提升电能变换装置的功率密度和效率,减小重量和体积,降低制造成本。利用PSpice仿真软件测试SiC MOSFET和Si IGBT的静态特性,设计了SiC MOSFET的驱动电路,利用双脉冲电路测试SiC MOSFET的动态特性。分析SiC MOSFET在Boost电路中的应用,利用单片机STM32F407ZG实现双脉冲以及PWM信号,最后搭建实验电路。实验结果表明,SiC MOSFET的开关响应速度快,导通电阻小,开关损耗小,电路效率高。

主 题 词：SiC MOSFET 静态特性 动态特性 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-0682.2021.06.014

馆 藏 号：203106436...