基于R-HBT模型的三值CMOS忆阻混合型D触发器

作     者：韩琪 王旭亮 吴巧 罗文瑶 林弥 HAN Qi;WANG Xuliang;WU Qiao;LUO Wenyao;LIN Mi

作者机构：杭州电子科技大学电子信息学院浙江杭州310018 

出 版 物：《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》 (Journal of Hangzhou Dianzi University：Natural Sciences)

年 卷 期：2021年第41卷第6期

页      码：1-5页

摘      要：研究多值忆阻逻辑电路,采用三值忆阻逻辑运算单元,设计了三值CMOS忆阻混合型D锁存器,该三值忆阻逻辑运算单元以CMOS和电阻异质结双极性晶体管(Resistor-Heterojunction Bipolar Transistor,R-HBT)负阻型忆阻器等效模型为核心,构成的三值CMOS忆阻混合型D锁存器包括4个三值忆阻与非单元和1个三值忆阻反相器,结构简单。在忆阻D锁存器的基础上,设计了上边沿触发的三值CMOS忆阻混合型D触发器,该D触发器为主从型结构。PSPICE仿真结果符合三值D触发器的逻辑功能,验证了设计的正确性。

主 题 词：忆阻器 CMOS混合型 多值逻辑 D触发器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13954/j.cnki.hdu.2021.06.001

馆 藏 号：203106442...