背表面掺杂对n型TOPCon电池特性的影响研究

作     者：吕欣 林涛 董鹏 Lyu Xin;Lin Tao;Dong Peng

作者机构：西安理工大学电子工程系西安710048 国家电力投资集团公司陕西分公司西安710000 黄河上游水电开发有限责任公司西安710000 

基　　金：陕西省重点研发计划(2020GY-044) 西安市科技计划(2020KJRC0077) 

出 版 物：《太阳能学报》 (Acta Energiae Solaris Sinica)

年 卷 期：2021年第42卷第11期

页      码：41-45页

摘      要：为系统研究n型TOPCon电池的背表面掺杂特性,设计专门的材料结构并进行掺杂浓度分布及背表面暗饱和电流密度值的测试。结果表明,当多晶硅(Poly-Si)层的设计厚度为100 nm,掺杂浓度为(2~3)×10^(20)/cm^(3),且当激活的磷掺杂源穿透SiO_(x)层并在Cz-Si基体中具有一定的"穿透扩散"剖面时,电池背表面的钝化效果达到最优值,使得背表面暗饱和电流密度值J;小于2.5 fA/cm^(2),达到目前行业的先进水平,同时基于最优的背表面钝化结果进行电池制作,电池平均转换效率超过22.43%。

主 题 词：多晶硅 硅基太阳电池 TOPCon 钝化 隧穿氧化层 

学科分类：08[工学] 080502[080502] 0805[工学-能源动力学] 

核心收录：

D　O　I：10.19912/j.0254-0096.tynxb.2019-1225

馆 藏 号：203106506...