CMOS器件单粒子效应电路级建模与仿真

作     者：丁李利 王坦 张凤祁 杨国庆 陈伟 DING Lili;WANG Tan;ZHANG Fengqi;YANG Guoqing;CHEN Wei

作者机构：强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024 西安电子科技大学陕西西安710071 

基　　金：Supported by National Natural Science Foundation of China(11690043 61634008) 

出 版 物：《原子能科学技术》 (Atomic Energy Science and Technology)

年 卷 期：2021年第55卷第12期

页      码：2113-2120页

摘      要：单粒子效应电路级建模与仿真是近年来的热点问题。为实现更高的准确度和更精细的机制分析,研究了单粒子瞬态受重离子入射位置的影响并解析建模,基于纳米尺度测试芯片的辐照试验结果验证了仿真方法的准确性。以此为基础开发了瞬时辐射效应仿真软件TREES,其输入文件为GDSII格式的版图,软件中通过解析版图提取所有有源区的形状、尺寸信息。软件还包括其他用户自定义选项,包括重离子LET值、待分析区域、激励设置等。输出文件包括对应单次入射的波性文件、单粒子效应敏感区热点图、单粒子效应截面数据等。软件第1版实现了与商用设计流程相集成,可作为Cadence工具栏中的嵌入式软件。软件第2版为不依赖于上下游商业软件的独立软件。本工作可用于评价单元电路或中小规模单粒子效应敏感性,对于熟悉电路级仿真的设计人员,可用于在设计阶段快速评价集成电路的抗辐射加固性能。

主 题 词：电路级 建模与仿真 单粒子效应 TREES CMOS器件 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0903[农学-动物生产类] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0901[农学-植物生产类] 

核心收录：

D　O　I：10.7538/yzk.2021.youxian.0551

馆 藏 号：203106507...