用于电源SiP的半桥MOSFET集成方案研究

作     者：唐光庆 曾鑫 冯志斌 康丙寅 

作者机构：中国人民解放军93147部队重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 

出 版 物：《电子产品世界》 (Electronic Engineering & Product World)

年 卷 期：2021年第28卷第12期

页      码：87-89页

摘      要：系统级封装(System in Package,SiP)设计理念是实现电源小型化的有效方法之一。然而,SiP空间有限,功率开关MOSFET的集成封装方案对电源性能影响大。本文讨论同步开关电源拓扑中的半桥MOSFET的不同布局方法,包括基板表面平铺、腔体设计、3D堆叠等;以及不同的电源互连方式,包括键合、铜片夹扣等。从封装尺寸、载流能力、热阻、工艺复杂度、组装维修等方面,对比了不同方案的优缺点,为电源SiP的设计提供参考。

主 题 词：系统级封装 腔体 3D堆叠 键合 铜片夹扣 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203106566...