一种K~D波段宽带射频MEMS开关设计

作     者：韩路路 吴倩楠 余建刚 王姗姗 王宇 李孟委 HAN Lulu;WU Qiannan;YU Jiangang;WANG Shanshan;WANG Yu;LI Mengwei

作者机构：中北大学南通智能光机电研究院江苏南通226000 中北大学仪器与电子学院太原030051 中北大学前沿交叉科学研究院太原030051 中北大学微系统集成研究中心太原030051 中北大学理学院太原030051 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61705200) 装备发展部新品项目(2018NW0026,2019NW0010) 中北大学青年学术带头人项目(QX201905) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2021年第51卷第6期

页      码：894-899页

摘      要：针对卫星通信、电子对抗及微波测试系统对开关提出的宽带宽、低插损、低功耗的应用需求,设计了一种K~D波段宽带射频MEMS开关。通过优化衬底材料和十字型上电极结构提高开关的带宽,降低开关的损耗。利用HFSS电磁波仿真软件对开关的几何参数进行优化计算。结果表明,所设计的射频MEMS开关可工作在18~188 GHz的频带内,且插入损耗小于1.47 dB,隔离度大于20.12 dB,其整体体积约为0.75 mm^(3)。此开关可与移相器、延时器、谐振器等结构集成,实现宽带且低损耗的射频可重构MEMS器件及系统,可用于新一代通信及微波测试等领域。

主 题 词：宽带 射频MEMS开关 插入损耗 隔离度 可重构 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.210081

馆 藏 号：203106966...