Ag-In共晶键合在硅-铜封接中的应用

作     者：解亚杰 常仁超 王蓝陵 夏宗禹 毕海林 王旭迪 XIE Yajie;CHANG Renchao;WANG Lanling;XIA Zongyu;BI Hailin;WANG Xudi

作者机构：合肥工业大学机械工程学院合肥230009 

基　　金：国家自然科学基金面上项目(61574053) 国家自然科学基金面上项目(61871172) 

出 版 物：《真空科学与技术学报》 (Chinese Journal of Vacuum Science and Technology)

年 卷 期：2021年第41卷第12期

页      码：1157-1163页

摘      要：目前在真空领域对于硅-铜封接的常用方式为Torr-Seal胶封接和玻璃粉高温烧结方式,但因其高放气率和玻璃粉污染等问题在超高真空受到限制,因此迫切需要一种气密性好、放气率低、工艺温和的封接方法。本文提出了一种基于Ag-In合金的硅-铜的新封接方法,即利用Ag-In合金中间层将硅片封接到无氧铜板支撑件上,并通过法兰连接到真空测试系统中。研究优化了无氧铜板支撑件的的结构设计并通过ANSYS Workbench验证合金层的缓冲作用,通过实验找到最佳的封接工艺参数,并使用氦质谱检漏仪测量了封接组件的本底漏率。测量结果显示,在一个大气压的上游压力下测得的最小本底漏率为7.49×10^(-12)Pa·m^(3)/s。

主 题 词：硅-铜封接 共晶键合 Ag-In合金 热应力仿真 

学科分类：08[工学] 0804[工学-材料学] 

D　O　I：10.13922/j.cnki.cjvst.202105007

馆 藏 号：203106985...