SOI全内反射型光波导电光开关模型研究

作     者：赵策洲 李国正 刘育粱 刘恩科 刘西钉 

作者机构：西安交通大学电子工程系西安电子科技大学微电子所中国科学院半导体研究所博士后流动站 

基　　金：国家教委博士点基金 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：1995年第15卷第12期

页      码：1702-1706页

摘      要：根据受抑全反射的光学隧道效应和Ｇｏｏｓ－ｈａｎｃｈｅｎ位移分析ＳＯＩ全内反射型光波导开关中导模的传输和反射特性。在讨论等离子体戏散效应，ｐ－ｎ结大注入效应的基础上，分析了全内反射光波导开关的电学性质。设计了该器件的结构参数和电学参数。

主 题 词：全内反射 SOI 光波导 电光开关 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

馆 藏 号：203107008...