GaAs/AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征

作     者：谢正生 吴惠桢 劳燕锋 刘成 曹萌 Xie Zhengsheng;Wu Huizhen;Lao Yanfeng;Liu Cheng;Cao Meng

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 

基　　金：国家重点基础研究发展计划("973"计划)(2003CB314903) 

出 版 物：《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)

年 卷 期：2007年第36卷第4期

页      码：587-591页

摘      要：采用气态源分子束外延(GSMBE)技术优化生长了GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)材料,并用X射线衍射(XRD)及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明,采用5s间断生长的GaAs/AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长,并且10对GaAs/AlAs DBR的质量优于30对,说明DBR对数越多,周期厚度波动越大,材料质量越差。优化生长得到的30对GaAs/AlAs DBR的反射率大于99%,中心波长为1316nm,与理论设计结构的模拟结果基本一致,可用作1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)直接键合的反射腔镜。

主 题 词：分布布拉格反射镜 气态源分子束外延 X射线衍射 反射谱 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1002-185X.2007.04.006

馆 藏 号：203107060...