栅控静电防护器件的电路宏模型研究

作     者：刘煜杰 汪洋 金湘亮 LIU Yujie;WANG Yang;JIN Xiangliang

作者机构：湖南师范大学物理与电子科学学院湖南长沙410081 

基　　金：国家自然科学基金(61827812) 湖湘高层次人才聚集项目(2019RS1037) 湖南省科技厅项目(2020GK2018,2019GK4016,2020RC1003) 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2021年第38卷第12期

页      码：69-74页

摘      要：本文设计了一种新型栅控双向可控硅晶闸管(GDDSCR)防护器件,用Rx元件代替可控硅晶闸管(SCR)的触发面来模拟SCR的触发和保持行为,实现了一种用于静电放电(ESD)防护的SCR宏模型.基于0.18μm BCD工艺制造的GDDSCR器件的传输线脉冲(TLP)测试结果与模型仿真结果的触发电压误差为0.008V,维持电压误差为0.006V.实验结果表明建立的SCR宏模型能够有效地模拟SCR器件在ESD应力下的物理机制.该宏模型以直.接的方式从被保护电路中使用的相同SCR结构中提取相关参数,大大提高了建模效率,消除了传统SCR模型仿真过程中存在的收敛性问题,对ESD保护电路的设计与验证具有重要意义.

主 题 词：静电放电防护 可控硅晶闸管 建模 宏模型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.19304/J.ISSN1000-7180.2021.0295

馆 藏 号：203107135...