基于InGaP/GaAs HBT工艺超宽带高线性度单片放大器

作     者：陈仲谋 张博 CHEN Zhongmou;ZHANG Bo

作者机构：西安邮电大学电子工程学院陕西西安710121 

基　　金：陕西省教育厅服务地方产业化专项(15JF029) 陕西省重点研发计划项目(2018ZDXM-GY-010,2017ZDXM-GY-044,2016KTCQ01-08) 西安市集成电路重大专项(201809174CY3JC16) 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2022年第41卷第1期

页      码：83-88页

摘      要：为解决传统达林顿结构的单片射频放大器线性度低和高低温下静态电流变化大的问题,设计了动态偏置电路和有源偏置电路来提高放大器的线性度和稳定静态电流。同时,为了扩展放大器的带宽和提高增益平坦度,设计了负反馈电路结构。基于2μm磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)工艺和达林顿结构,设计了单片微波放大器。电磁仿真结果表明:在5 V电压供电下,静态功耗为0.17 W,本放大器在0.05~10 GHz频率范围内,小信号增益最大为21 dB,输出功率三阶交调点最大为31.1 dBm,输出功率1 dB压缩点最大为16.1 dBm,回波损耗均小于-10 dB,高低温下静态电流波动±1.5 mA。

主 题 词：超宽带 高线性度 放大器 GaAs HBT 动态偏置 有源偏置 达林顿结构 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1284

馆 藏 号：203107168...