面向先进光源的硅像素传感器保护环结构仿真研究

作     者：孙朋 傅剑宇 许高博 丁明正 翟琼华 殷华湘 陈大鹏 SUN Peng;FU Jianyu;XU Gaobo;DING Mingzheng;ZHAI Qionghua;YIN Huaxiang;CHEN Dapeng

作者机构：中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心北京100029 中国科学院大学北京100049 

基　　金：中国科学院重大科研仪器研制项目(No.ZDKYYQ20200007) 

出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)

年 卷 期：2021年第50卷第12期

页      码：186-193页

摘      要：硅像素传感器上的保护环结构有利于提高传感器的耐高电压性能,为评估保护环结构对硅像素传感器的保护效果,仿真分析了三种保护环结构。通过计算机辅助设计技术对三种保护环结构进行二维建模,利用TACD内置的电学模型对三种保护环结构的I-V特性进行了仿真。研究结果表明,电流收集环会提高像素的耐高电压性能,同时不等间距保护环、保护环的内外等距离Al悬挂以及多个保护环结构有利于进一步提高传感器的击穿电压。

主 题 词：PIN二极管 硅像素传感器 保护环 耐高电压 计算机辅助设计 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/gzxb20215012.1228002

馆 藏 号：203107182...