FED下基板制作工艺及介质的耐压特性研究

作     者：张斌 唐李晟 李军 赵莉 丁兴隆 Zhang Bin;Tang Lisheng;Li Jun;Zhao Li;Ding Xinglong

作者机构：彩虹集团公司(北京)技术中心北京100085 

基　　金：国家"863"计划平板显示重大专项支持项目(2008AA03A313) 

出 版 物：《光电子技术》 (Optoelectronic Technology)

年 卷 期：2010年第30卷第2期

页      码：94-96,101页

摘      要：在制作场发射显示器(FED)下基板的工艺过程中,设计了两种方案来制作下基板的阴栅极,用扫描电镜观察所得样品的横截面,并计算出各结构尺寸,分析阴栅极易形成短路的原因。优选出其中一种方案作为介质耐压试验的工艺方法,测试介质在中性溶液中浸泡不同时间后的耐压曲线,并分析击穿电压降低的原因。

主 题 词：场发射显示器 介质 击穿 下基板 

学科分类：08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-488X.2010.02.006

馆 藏 号：203107184...