考虑寄生参数的功率MOSFET开关损耗简化计算方法

作     者：马昆 施永 苏建徽 赖纪东 于翔 Ma Kun;Shi Yong;Su Jianhui;Lai Jidong;Yu Xiang

作者机构：合肥工业大学光伏系统教育部工程研究中心合肥230009 

基　　金：国家重点研发计划项目(2018YFB0904100) 国家电网公司科技项目(SGHB0000KXJS1800685)资助 

出 版 物：《电工技术学报》 (Transactions of China Electrotechnical Society)

年 卷 期：2021年第36卷第S02期

页      码：591-599,609页

摘      要：变换器设计过程中,金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的开关损耗计算是变换器散热设计和参数优化的理论依据之一。现有计算开关损耗的方法在数学建模过程中需要求解微分方程组,计算过程较为复杂,不利于实际工程应用。该文提出一种简洁易用的MOSFET开关损耗简化计算方法。首先,推导出MOSFET非线性电容及跨导系数取值公式,并细化了MOSFET开关过程中的模态;然后,通过对各模态电流、电压波形进行分段线性近似处理,避免求解微分方程组,推导出相应模态的持续时间以及电流、电压的简化解析式及开关损耗计算公式;最后,通过对比计算结果和Pspice模型仿真结果,验证了该计算方法的准确性。

主 题 词：功率MOSFET 寄生参数 开关损耗 计算模型 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L90172

馆 藏 号：203107247...