基于VLD终端的光刻对准标记工艺设计

作     者：肖步文 孙晓儒 甘新慧 周东飞 尹攀 

作者机构：无锡华润华晶微电子有限公司江苏无锡214000 

出 版 物：《山东工业技术》 (Journal of Shandong Industrial Technology)

年 卷 期：2015年第11期

页      码：269-270页

摘      要：采用VLD终端的半导体器件,在工艺流程上首先需要进行终端制备,然后进行有源区的制备,这就需要在终端制备工艺结束之后,留下后续工艺制造所需要的光刻对版标记,本文设计了一种可以实现套刻的光刻对版标记的工艺,并给出了工艺实现的条件。

主 题 词：氮化硅 VLD终端 双层掩膜 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16640/j.cnki.37-1222/t.2015.11.248

馆 藏 号：203107420...