基于CMOS工艺的高线性宽带放大器芯片设计

作     者：何宁 李烁星 张萌 何乐 HE Ning;LI Shuoxing;ZHANG Meng;HE Le

作者机构：航天科工通信技术研究院有限责任公司四川成都610051 东南大学航天科工通信技术研究院量子信息与通信联合研究中心江苏南京211100 

基　　金：四川省科技计划项目 成都市蓉漂计划项目 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2021年第44卷第6期

页      码：1292-1297页

摘      要：展示了一款基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计的高线性宽带放大器芯片,该芯片可覆盖P波段、L波段、S波段,实现宽带放大。放大器采用三级级联结构,包括输入级、中间级和输出级。输入级采用两级级联的共栅结构,在实现输入宽带匹配的同时,可有效提升隔离度,并提供一定的电压增益;中间级采用高输入阻抗的共源结构分布式放大电路,延展带宽,通过电压传递的方式降低级间匹配难度,减少片上电感使用;输出级在传统的共源结构基础上,通过电感负载及增加电阻负反馈的功率放大器设计方法,在延展带宽的同时提高了线性度,折中功率输出,PAE得到优化。芯片通过流片面积为0.7 mm×1.2 mm,测试结果显示,该放大器工作频率可覆盖500 MHz~2.5 GHz,工作带宽>1.5 GHz,相对带宽达到100%,OP_(1dB)>9 dBm,增益S_(21)>16 dB,达到了宽带放大和高线性度性能要求,验证了本文所述理论的正确性,满足综合射频(通信、雷达、电子战)应用需求。

主 题 词：宽带 高线性度 放大器芯片 射频CMOS工艺 

学科分类：12[管理学] 1201[管理学-管理科学与工程类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2021.06.002

馆 藏 号：203107646...