1.3μm应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究

作     者：唐道远 李晓良 Tang Daoyuan;Li Xiaoliang

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2009年第34卷第6期

页      码：543-545页

摘      要：台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法。InGaAs层ICP刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象,Cl2含量为30%时速率可达到420nm/min;湿法腐蚀可有效减小ICP刻蚀引入的晶格损伤。SEM图像表明,ICP刻蚀+湿法腐蚀的台面制作方法,得到的腐蚀台面陡直,波导宽度与设计值更接近,优于选择性湿法腐蚀方法,更适合SLD台面制作。

主 题 词：应变补偿多量子阱 超辐射发光管 台面 湿法腐蚀 感应耦合等离子体 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2009.06.006

馆 藏 号：203107830...