基于STNMOS的混合电压I/O接口ESD保护

作     者：吴道训 蒋苓俐 方健 张波 

作者机构：电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054 

出 版 物：《中国集成电路》 (China lntegrated Circuit)

年 卷 期：2012年第21卷第7期

页      码：45-50页

摘      要：混合电压I/O接口的静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护设计是小线宽工艺中片上系统(SoC)设计的主要挑战之一。混合电压I/O接口的片上ESD保护既要避免栅氧可靠性问题,又要防止不期望的泄漏电流路径产生。这篇论文讨论了基于堆叠NMOS(stacked-NMOS,STNMOS)的混合电压I/O接口的ESD保护设计构思和电路实现,通过不同ESD保护设计方案的比较,提出了一个最有效的保护方案。

主 题 词：静电放电 混合电压 I/O接口 堆叠NMOS 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-5289.2012.07.064

馆 藏 号：203107915...