考虑寄生参数影响的芯片RC-HBM静电测试模型

作     者：熊素琴 李求洋 肖志强 XIONG Suqin;LI Qiuyang;XIAO Zhiqiang

作者机构：中国电力科学研究院有限公司北京100192 湖南大学电气与信息工程学院湖南长沙410082 

基　　金：国网公司科技项目资助“继电保护装置成熟国产存储和隔离电源替代技术研究”(5100-201946434A-0-0-00) 

出 版 物：《电力系统保护与控制》 (Power System Protection and Control)

年 卷 期：2022年第50卷第4期

页      码：172-179页

摘      要：采用常规的人体模型(Human Body Model,HBM)进行静电释放(Electro-Static Discharge,ESD)测试时往往容易受到寄生参数的影响,使得电源芯片抗静电能力测量值与实际抗静电能力存在偏差,导致劣质产品通过HBM ESD测试,影响电源芯片产品良品率的提升。为此,提出了一种RC-HBM模型,通过引入RC并联支路,校正因寄生参数引起的静电放电电流的偏差,满足电源芯片静电可靠性测试的要求。首先阐述了静电对电源芯片的损坏机理。其次,分析了寄生参数对ESD电流的影响,阐述了常规HBM ESD测试的局限性。并提出了一种新型的RC-HBM模型,给出了RC并联支路参数的设计依据。最后,通过批量实验验证了所提RC-HBM模型的准确性和合理性。

主 题 词：电源芯片 HBM模型 ESD 寄生参数 静电放电电流 

学科分类：0402[教育学-体育学类] 080903[080903] 0401[教育学-教育学类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.19783/j.cnki.pspc.210450

馆 藏 号：203108062...