顶部反射镜对GaN基共振腔发光二极管性能的影响研究

作     者：赵淑钰 徐滨滨 赵振宇 吕雪芹 Zhao Shu-Yu;Xu Bin-Bin;Zhao Zhen-Yu;LüXue-Qin

作者机构：厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院厦门361005 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61574119) 福建省自然科学基金(批准号:2021J01048,2017J01120)资助的课题 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2022年第71卷第4期

页      码：229-236页

摘      要：本文在GaN基共振腔发光二极管(RCLED)顶部设计制备了高反膜结构分布式布拉格反射镜(DBR)和滤波器结构DBR,对比分析了两种反射镜的反射率曲线特征以及对应的RCLED器件的光输出纵模模式、光谱线宽和输出光强等性能差异,详细研究了顶部反射镜的光反射特性对RCLED器件输出光谱性能的影响机理.研究结果表明,顶部反射镜是RCLED的重要组成部分,其反射率曲线特征决定器件的光输出性能.常规高反膜结构DBR顶部反射镜的反射率曲线具有较宽的高反射带,将其作为顶部反射镜可有效压窄RCLED发光纵模线宽,但是发光光谱仍呈现多纵模光输出特征.滤波器结构DBR顶部反射镜的反射率曲线在中心波长处具有较窄的透光凹带,利用透光凹带对输出光的调制作用,器件可实现单纵模光输出,在光通信、光纤传感等领域展示了广阔的应用前景.通过进一步设计RCLED顶部反射镜结构,可以改变其反射率曲线特性,进而优化RCLED器件的输出光谱特性,以满足器件在多个领域的应用需求.

主 题 词：GaN基RCLED 高反膜结构DBR 滤波器结构DBR 单纵模发光 

学科分类：08[工学] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.71.20211720

馆 藏 号：203108121...