活化Mo-Mn法中低温烧成技术研究

作     者：朴文博 李迎迎 黄亦工 崔高鹏 PIAO Wen-bo;LI Ying-ying;HUANG Yi-gong;CUI Gao-peng

作者机构：北京真空电子技术研究所北京100015 

出 版 物：《真空电子技术》 (Vacuum Electronics)

年 卷 期：2022年第35卷第1期

页      码：61-66页

摘      要：以降低活化Mo-Mn法烧成温度为目的,利用MnO-Al_(2)O_(3)-SiO_(2)相图,设计了17组金属化配方,通过拉力测试、X射线衍射物相分析、扫描电镜测试及能谱分析,研究了不同活化剂配方对金属化层力学性能及显微结构的影响。本试验成功将活化Mo-Mn法烧结温度降低至1350℃,得到的金属化层显微结构致密均匀,力学性能及气密性良好,其三点封接强度可达470 MPa,远超行业标准。

主 题 词：活化Mo-Mn法 中低温 相图 活化剂 玻璃相 

学科分类：08[工学] 

D　O　I：10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2022.01.12

馆 藏 号：203108284...