基于GaAs pHEMT 2.5~4.3 GHz驱动功率放大器芯片设计

作     者：林倩 胡单辉 邬海峰 陈思维 LIN Qian;HU Danhui;WU Haifeng;CHEN Siwei

作者机构：青海民族大学物理与电子信息工程学院西宁810007 成都嘉纳海威科技有限责任公司成都610073 

基　　金：国家自然科学基金(62161046) 中国科学院西部青年学者西部之光项目(1_14) 青海省自然科学基金面上项目(2021-ZJ-910) 青海民族大学研究生创新项目(10M2021001) 

出 版 物：《重庆邮电大学学报（自然科学版）》 (Journal of Chongqing University of Posts and Telecommunications(Natural Science Edition))

年 卷 期：2022年第34卷第1期

页      码：73-77页

摘      要：为了实现低噪声、高线性度、中功率的指标特性,设计了一款基于GaAs pHEMT工艺的2.5~4.3 GHz驱动功率放大器(power amplifier,PA),该PA设计采用共源共栅级驱动共源极放大器的双级放大结构,其中共源共栅级驱动放大器可实现良好的隔离度,采用负反馈技术实现输入阻抗匹配和级间阻抗匹配,选取共源极放大器实现高线性度指标。经过流片加工后,实测结果显示,该PA在2.5~4.3 GHz频段可实现25.5±1 dB小信号增益,可以满足5G无线通信系统中Sub-6G频段的典型驱动功率放大器的指标要求,具有广泛的市场应用前景。

主 题 词：GaAs pHEMT MMIC PA 共源共栅 负反馈 高增益 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3979/j.issn.1673-825X.202011030342

馆 藏 号：203108488...