复合漏电模型建立及阶梯场板GaN肖特基势垒二极管设计

作     者：刘成 李明 文章 顾钊源 杨明超 刘卫华 韩传余 张勇 耿莉 郝跃 Liu Cheng;Li Ming;Wen Zhang;Gu Zhao-Yuan;Yang Ming-Chao;Liu Wei-Hua;Han Chuan-Yu;Zhang Yong;Geng Li;Hao Yue

作者机构：西安交通大学微电子学院西安市微纳电子与系统集成实验室西安710049 西安交通大学电气工程学院西安710049 西安电子科技大学微电子学院西安710071 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2017YFB0404102)资助的课题 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2022年第71卷第5期

页      码：274-282页

摘      要：准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)因其低成本和高电流传输能力而备受关注.但其主要问题在于无法很好地估计器件的反向特性,从而影响二极管的设计.本文考虑了GaN材料的缺陷以及多种漏电机制,建立了复合漏电模型,对准垂直Ga N SBD的特性进行了模拟,仿真结果与实验结果吻合.基于此所提模型设计出具有高击穿电压的阶梯型场板结构准垂直GaN SBD.根据漏电流、温度和电场在反向电压下的相关性,分析了漏电机制和器件耐压特性,设计的阶梯型场板结构准垂直GaN SBD的Baliga优值BFOM达到73.81 MW/cm^(2).

主 题 词：GaN肖特基二极管 漏电流 击穿电压 阶梯型场板 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.71.20211917

馆 藏 号：203108527...