界面电荷耐压模型:SOI高压器件纵向耐压新理论

作     者：郭宇锋 张波 方健 杨舰 李肇基 GUO Yufeng;ZHANG Bo;FANG Jian;YANG Jian;LI Zhaoji

作者机构：南京邮电大学光电工程学院南京210003 电子科技大学IC设计中心成都610054 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60276040) 重点实验室基金项目(编号:51439080101DZ0201)资助课题 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2006年第26卷第1期

页      码：11-15页

摘      要：基于求解二维Po isson方程,分析了具有埋氧层界面电荷的SO I结构纵向击穿特性,提出了界面电荷耐压模型。该模型通过埋氧层界面电荷来调制硅层和埋氧层电场,获得极高击穿电压。进一步提出临界界面电荷面密度概念,给出其工程化应用的近似公式。并对文献中的不同结构SO I器件的纵向耐压进行计算。解析结果和试验结果或M ED IC I仿真结果吻合良好。

主 题 词：绝缘体上硅 界面电荷 击穿电压 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2006.01.003

馆 藏 号：203108562...