基于RF接收机的过冲性能优化分析

作     者：谢书珊 张保宁 张浩 刘海涛 邓青 朱德政 

作者机构：南京电子技术研究所南京210039 

基　　金：江苏省科技支撑计划(BE2010003) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2012年第37卷第12期

页      码：964-968页

摘      要：可变增益控制是RF接收机的通用功能,它包括程控衰减器和放大器。可编程增益控制单元一般采用CMOS结构的开关器件。采用半导体制造技术制造的CMOS结构开关器件存在非理想特性,其中开关切换过程残留电荷是一种非理想特性。如果CMOS开关器件位于信号通路,开关切换残留电荷会传导到下一级电路,从而影响系统的瞬态性能,干扰RF接收机对获取信号的判断。通过在技术上的设计来减小开关过冲是CMOS结构开关器件的设计难点之一。针对这一特性,进行了理论分析并提出了解决方案。通过对几种解决方案的对比,给出了各自的特点。最后通过差分抑制过冲的实测结果分析,表明此方法具备较优效果。

主 题 词：过冲 CMOS结构开关 电荷 频率 幅度 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2012.12.013

馆 藏 号：203108835...